Name: ইনফিনিয়ন মোটরগাড়ি আইজিবিটি মডিউল, হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল কনভার্টার্স FF1200R12IE5
Brand: Infineon
SKU: FF1200R12IE5
Rating: 4.6 (118 reviews)

বাড়ি পণ্য আইজিবিটি পাওয়ার মডিউল

ইনফিনিয়ন মোটরগাড়ি আইজিবিটি মডিউল, হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল কনভার্টার্স FF1200R12IE5

পণ্যের বিবরণ:

উৎপত্তি স্থল:	চীন
পরিচিতিমুলক নাম:	Infineon
মডেল নম্বার:	FF1200R12IE5

প্রদান:

ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ:	1 বিন্যাস করুন
প্যাকেজিং বিবরণ:	কাঠের বাক্স প্যাকিং
ডেলিভারি সময়:	চুক্তি স্বাক্ষর 25 দিন পরে
পরিশোধের শর্ত:	T T
যোগানের ক্ষমতা:	1000sets

যোগাযোগ

বিস্তারিত পণ্যের বর্ণনা

VCES:

1200V

আইসি নম:

1200A

ICRM:

2400A

লক্ষণীয় করা:

উচ্চ ক্ষমতা igbt মডিউল

eupec igbt মডিউল

ইনফিনিয়্যান প্রযুক্তিগুলি আইজিবিটি মডিউলসমূহ উচ্চ ক্ষমতা সংযোজকগুলির FF1200R12IE5 মোটর ড্রাইভ

চিরাচরিত আবেদন
• উচ্চ ক্ষমতা কনভার্টার
• মোটর ড্রাইভ
• ইউ.পি. সিস্টেম

বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য
• বর্ধিত অপারেটিং তাপমাত্রা T vj op
• উচ্চ শর্ট-সার্কিট ক্ষমতা
• অবাধ্য দৃঢ়তা
• T vj op = 175 ° C
• ট্রেঞ্চ আইগ্যাব 5

যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যগুলি
• সিটিআই এর সাথে প্যাকেজ> 400
• উচ্চ ক্ষমতা ঘনত্ব
• উচ্চ ক্ষমতা এবং তাপ সাইক্লিং সামর্থ্য
• উচ্চ creepage এবং ক্লিয়ারেন্স দূরত্ব

আইজিবিটি বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল
সর্বোচ্চ রেট মান

কালার-ইমিটার ভোল্টেজ	Tvj = 25 ° C	VCES	1200	ভী
ক্রমাগত ডিসি কালেকটর বর্তমান	টিসি = 80 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড, টিভিজ সর্বোচ্চ = 175 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড	আইসি নম	1200	একজন
পুনরাবৃত্তিমূলক শীর্ষ সংগ্রাহক বর্তমান	tP = 1 ms	ICRM	2400	একজন
গেট- emitter শিখর ভোল্টেজ		VGES	+/- 20	ভী

চরিত্রগত মানগুলি typ। সর্বোচ্চ।

কালেক্টর- ইমটার স্যাচুরেশন ভোল্টেজ	IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড আইসি = 1২00 এ, ভিজ = 15 ভি টিভিজ় = 125 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 175 ° C	VCE sat		1,70 2,00 2,15	2,15 2,45 2,60	VVV
গেট বিক্রেতার ভোল্টেজ	IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 ° C	VGEth	5,25	5,80	6,35	ভী
প্রবেশ মুল্য	VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 600V	QG		5,75		μC
অভ্যন্তরীণ দরজা রোধ	Tvj = 25 ° C	RGint		0,75		Ω
ইনপুট ক্যাপ্যাসিট্যান্স	f = 1 MHz, Tvj = 25 ° C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		65,5		NF
বিপরীত স্থানান্তর ক্যাপ্যাসিট্যান্স	f = 1 MHz, Tvj = 25 ° C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	cres		2,60		NF
কালার-ইমিটার কাট-অফ বর্তমান	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড	ICES			5,0	mA বিদ্যুত
গেট- emitter ফুটো বর্তমান	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25 ° C	IGES			400	nA
টার্ন-ওভার বিলম্ব সময়, প্রস্তাবনামূলক লোড	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড VGE = ± 15 ভি Tvj = 125 ° C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C	টিডি অন		0,20 0,23 0,25		μs μs μs
সময় বাড়ান, অনুভূমিক লোড	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড VGE = ± 15 ভি Tvj = 125 ° C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C	TR		0,16 0,17 0,18		μs μs μs
ঘুরান বন্ধ বিলম্ব সময়, প্রস্তাবনামূলক লোড	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড VGE = ± 15 ভি Tvj = 125 ° C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C	Td বন্ধ		0,48 0,52 0,55		μs μs μs
সময়, অনুভূমিক লোড	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড VGE = ± 15 ভি Tvj = 125 ° C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C	TF		0,08 0,11 0,13		μs μs μs
পালস প্রতি ঘন ঘন শক্তি ক্ষতি	IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V, di / dt = 6000 A / μs (Tvj = 175 ° C) Tvj = 125 ° C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C	কাল		80,0 120 160		এমজে এমজে এমজে
পালস প্রতি বন্ধ শক্তি শক্তি ক্ষতি	IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V, du / dt = 2800 V / μs (Tvj = 175 ° C) Tvj = 125 ° C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C	Eoff		130 160 180		এমজে এমজে এমজে
এসসি তথ্য	VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V. VCEmax = VCES -LsCE · ডি / ডি.টি. টিপি ≤ 10 μs, টিভিজ় = 175 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড	আইএসসি		4000		একজন
থার্মাল প্রতিরোধের, ক্ষেত্রে জংশন	আইজিবিটি / প্রতি আইজিবিটি প্রতি	RthJC			28,7	কে / কিলো
তাপ সহ্য করার ক্ষমতা, তাপ সিঙ্ক ক্ষেত্রে	আইজিবিটি / প্রতি আইজিবিটি প্রতি λPaste = 1W / (মি · কে) / λgrease = 1W / (মি · কে)	RthCH		22,1		কে / কিলো
সুইচিং অবস্থার অধীনে তাপমাত্রা		Tvj অপ	-40		175	° সেঃ